ULVAC爱发科 光交流法热扩散率测定装置 LaserPIT-M2

2024-11-06

金山科研平台现货促销

ULVAC爱发科 光交流法热扩散率测定装置 LaserPIT-M2

ULVAC爱发科 光交流法热扩散率测定装置 LaserPIT-M2

可评估各种film状膜的平面方向的热传导性。是根据激光交流照射AC法(Angstrom法),测量薄板材料的平面方向热扩散率的装置。也可测量高热传导膜中的亚微米薄膜。金山科研平台现货促销特点

从金刚石到聚合物的各种薄板材料的面内热扩散率测量

适用于各种材料,如3至500μm厚的独立式片材,薄膜,电线和纤维

成膜基板上的厚度为100nm至1000nm的薄膜的热导率可以通过差分方法*仅在室温下测量

金山科研平台现货促销用途

高导热率薄板材料(厚度<500μm)的热扩散率/热导率测量,如CVD金刚石,氮化铝

金属板材(厚度>5μm)的热扩散率/热导率测量,如铜,镍,不锈钢

低导热率薄板材料(厚度<500μm)的热扩散率/热导率测量,例如玻璃,树脂材料

高导热率石墨片(厚度<100μm),聚酰亚胺,PET和其他聚合物薄膜(厚度>5μm)的热扩散率/热导率测量

玻璃基板(30μm厚)上成膜 的氮化铝薄膜和氧化铝薄膜(100至300nm厚)的热导率测量

玻璃基板上成膜的DLC薄膜(厚度>1μm)的导热系数测量(厚度0.03 mm)

PET基板(0.1 mm厚)上成膜的有机染料薄膜(100至300 nm厚)的热导率测量

溅射用靶材料的评估

金山科研平台现货促销规格ModelTemperature rangeAC powerSample SizeMeasurement periodAtmosphere
LaserPIT-RLaserPIT-M2
RTRT ~ 200℃
Diod laser (685nm, 30mW)
Self-standing thin sheet: W2.5 ~ 5 mm × L30 mm × 3 ~ 500 μmThin film on a substrate: W2.5 ~ 5 mm × L30 mm × 100 ~ 1000 nm
0.05 ~ 10/s
Vacuum

Figure of the principle

ConstitutionMeasurement method of thermal conductivity of thin film (differential method)

The thermal conductivity of a thin film deposited on a special glass test substrate can be found by measuring the thermal diffusivity of the deposited area and a non-deposited area on the same side of the test substrate. Thermal conductivity of the thin film is evaluated from “Measurement result in the two areas”, “Thickness of the glass substrate and its volume specific capacity”, and “Thickness of the thin film and its volume specific capacity”.

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