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ULVAC爱发科 2ω法纳米薄膜热启动率计 TCN-2ω

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能够简单地评估纳米薄膜的热膨胀率。在2ω测量中，是测量纳米薄膜厚度方向的热膨胀率的世界唯一的设备。与其他方式相比，能够简单地进行试料的制作和测量。金山科研平台现货促销特点

测量纳米级薄膜的导热系数

样品准备简单

金山科研平台现货促销用途

适合热设计所需薄膜的热导率评估（半导体器件薄膜，有机薄膜，Low-k薄膜）

也可以评估热电转换材料的薄膜

金山科研平台现货促销规格测量特性样本量测量气氛

RT

W10×L10～20×t0.3～1(mm)(基板)

真空

专利和标准

热性能测量方法（日本专利第5426115号）

测量原理

采用基本频率（f/Hz）的周期加热方式对金属薄膜进行加热。因此，热能响应频率 2 f/Hz 等于基本频率的两倍。如图所示，薄膜由金属薄膜（0）-薄膜（1）-基板组成的情况下，金属薄膜上表面的温升T（0）可以计算为一维热传导模型的基础。假设能量完全到达底部基板，T(0)如下式：

（λ / W m^-1K^-1, C / JK^-1m^-3, q/ W m^-3, d / m , ω (=2πf ) / s^-1）

我们注意到实部（同相幅度）包含薄膜的信息。假设热能完全到达底部基板，则同相幅度与(2ω)^{-0.5成正比}。薄膜的热导率（λ_{1 ）由}（m：斜率，n：截距）估算

TCN-2ω示意图

_{TCN-2ω测量各种SiO 2}薄膜的实验结果

薄膜评估

样品制备

SiO₂薄膜（20-100nm）-硅衬底d₁/纳米λ₁/ Wm^-1K^-1

19.9	51.0	96.8
0.82	1.12	1.20